英飞凌FF200R12KS4原装IGBT模块库存现货参数_供应

英飞凌FF200R12KS4原装IGBT模块库存现货参数

发布时间:2016-06-15 10:35:32 产品编号:GY-5-86212308 分享

价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌FF200R12KS4原装IGBT模块库存现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块，采用高频技术和碳化硅材料。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。

英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块特性

• 封装的CTI>400

• 高爬电距离和电气间隙

• 绝缘的基板

• 铜基板

• 标封装

英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL

英飞凌FF200R12KS4 产品参数

产品种类： IGBT 模块

产品： IGBT Silicon Modules

品牌和型号英飞凌FF200R12KS4

配置： Dual

集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 3.2 V

在25 C的连续集电极电流： 275 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

功率耗散： 1.4 kW

**工作温度： + 125 C

封装 / 箱体： 62 mm

商标： Infineon Technologies

栅极/发射极**电压： +/- 20 V

**小工作温度： - 40 C

安装风格： Screw

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工厂包装数量： 500

英飞凌FF200R12KS4 等效电路

英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析

IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

　　--IGBT栅极与发射极之间的电压;

　　--IGBT集电极与发射极之间的电压;

　　--流过IGBT集电极-发射极的电流;

　　--IGBT的结温。

　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能**性损坏;同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的**电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会**性损坏。

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状态:离线发送信件
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