电子元器件及组件
英飞凌F12-25R12KT4G原装IGBT模块库存现货参数
发布时间:2016-06-15 10:26:15 产品编号:GY-5-86209990  分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌F12-25R12KT4G原装IGBT模块库存现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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 英飞凌F12-25R12KT4G EconoPACK ™ 模块是为了满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求而开发的新型模块之一。得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新,英飞凌新推出的这些模块,能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。
   由于新的行业应用领域提出了苛刻的电气和机械要求,例如城市公交车和货车等商用车辆的电动或混合动力驱动装置。这些车辆及所使用的器件,包括功率模块,必须承受很高的电应力和沉重的机械负荷(如撞击或震动),以及运行过程中温度的频繁变化,英飞凌F12-25R12KT4G为代表的新型模块也就应运而生
 英飞凌F12-25R12KT4G产品参数:
 产品:EconoPACK™3 IGBT模块
 品牌和型号:英飞凌 F12-25R12KT4G
 封装:EconoPACK™3
 集电极-发射极电压:1200V
 连续集电极直流电流:TC = 100°C, Tvj max = 175°C 时25A。
 总功率损耗:TC = 25°C, Tvj max = 175°C时160W。
 栅极-发射极峰值电压:+/-20V
 集电极-发射极饱和电压:Tc=25℃,2.15V
 栅极阈值电压:6.4V
 栅极-发射极漏电流:100nA
 产品重量:300g
 产品资料和价格:联系咨询和索取。
  英飞凌F12-25R12KT4G封装尺寸和外形结构图
 英飞凌F12-25R12KT4G等效电路图
 英飞凌F12-25R12KT4G IGBT模块工作原理
  英飞凌F12-25R12KT4G IGBT模块开通过程
  1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间
  2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。   
   除了开通时间Ton,上升时间Tr和Tr.i以外,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。
  英飞凌F12-25R12KT4G IGBT模块关断过程
  IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。
   **段是按照MOS管关断的特性的
   第二段是在MOSFET关断后,PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放,造成漏极电流较长的尾部时间。
   除了关断时间Toff,下降时间Tf和Tf.i以外,还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又称为存储时间。
英飞凌FF225R17ME3 是英飞凌公司针对汽车行业发行的EconoDUAL3系列模块典型代表模块,其在有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达600A/1200V)。该模块具有出色的开关特性,而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的DCB,与相关的450A版本相比,其输出功率**可增加30%。FF225R17ME3是英飞凌在IGBT模块开发和制造及处理和实现特定汽车要求方面的十多年丰富经验的体现,它可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力,而且采用了全新的可改善EMI特性的软特性二极管。
   为了便于物流运输和产品跟踪,所有英飞凌IGBT模块都具有**的完整标签。全新的EconoDUAL3模块采用了带DMX代码的芯片,能够自动识别已装配的器件,增强了可跟踪性。
  英飞凌FF225R17ME3基本参数: N-CH 1.7KV/340A EmCon3二极管EconoDUAL模块
  英飞凌FF225R17ME3封装尺寸和结构
  英飞凌FF225R17ME3产品参数
产品: IGBT Silicon Modules   
品牌和型号 英飞凌  FF225R17ME3   
配置: Dual   
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V   
在25 C的连续集电极电流: 340 A   
**工作温度: + 125 C   
封装 / 箱体: Econo D   
商标: Infineon Technologies   
栅极/发射极**电压: +/- 20 V   
**小工作温度: - 40 C   
安装风格: Screw   
产品中英文资料和报价 联系我们咨询和索取   
工厂包装数量: 12  
  英飞凌FF225R17ME3 等效电路图
  FF225R17ME3 IGBT模块的工作原理
  采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流,50Hz交流电经全桥整流变成直流,由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波,经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制(PWM)的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制,对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析,达到提前对输出补偿和调整,使输出的电流、电压始终处于饱和状态,解决了以往线绕变压器,因电流、电压不稳定,输出功率不足的难题。

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