英飞凌FF450R12ME3是英飞凌公司专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品，额定值高达1200V和600A，英飞凌FF450R12ME3能够可靠、灵活地提供高效**的开关速度，其广泛被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开关电源和焊接机械。
 

  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块具备以下关键优势： 

    • 超低损耗，确保高效率及开关速度。

    • 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。

    • 高短路能力降低了保护需求。

    • 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。

    • **续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案
 

  英飞凌FF450R12ME3 产品参数：

  产品： IGBT Silicon Modules   

  品牌和型号 英飞凌FF450R12ME3   

  配置： Dual   

  集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V   

  集电极—射极饱和电压： 1.7 V   

  在25 C的连续集电极电流： 600 A   

  栅极—射极漏泄电流： 400 nA   

  功率耗散： 2100 W   

  **工作温度： + 125 C   

  封装 / 箱体： EconoDUAL-3   

  商标： Infineon Technologies   

  栅极/发射极**电压： +/- 20 V   

  **小工作温度： - 40 C   

  安装风格： Screw
  

  产品价格和中英文PDF资料请联系索取和咨询   

  工厂包装数量： 12  

  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块开通过程

  1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间

  2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。   

   除了开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。

  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块关断过程

  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。

   **段是按照MOS管关断的特性的

   第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。

   除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。

   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。
 

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