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库存现货FF200R12KE3/FF200R12KT3模块

发布时间:2016-06-15 10:09:30 产品编号:GY-5-86205868 分享

价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:库存现货FF200R12KE3/FF200R12KT3模块,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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英飞凌FF200R12KE3 IGBT模块集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。而英飞凌FF200R12KT3 是在英飞凌FF200R12KE3的基础上减小了集射极饱和电压(VCEsat) 和关断损耗(Eo ff)，使其性能有了更进一步的提升。

英飞凌FF200R12KE3 和英飞凌FF200R12KT3都是用途很广泛的IGBT模块，在电梯控制、电热控制、电磁加热、中频炉、变频器、调功、电机控制、电磁阀控制、电容投切、单三相交流无触点开关、数控机械、仪表等行业电子产品中都有涉及。

英飞凌 FF200R12KE3产品基本参数：IGBT 模块 1200V/200A DUAL

英飞凌 FF200R12KE3和FF200R12KT3 封装尺寸和外形结构

英飞凌 FF200R12KE3产品参数

产品种类： IGBT 模块

产品品牌和型号英飞凌FF200R12KE3

英飞凌FF200R12KT3

配置： Dual

集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 1.7 V

在25 C的连续集电极电流： 200 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

功率耗散： 1.05 kW

**工作温度： + 125 C

封装 / 箱体： IS5a ( 62 mm )-7

商标： Infineon Technologies

栅极/发射极**电压： +/- 20 V

**小工作温度： - 40 C

安装风格： Screw

工厂包装数量： 500

产品价格和中英文资料联系咨询和索取

英飞凌 FF200R12KE3和FF200R12KT3等效电路

英飞凌 FF200R12KT3和英飞凌FF200R12KE3的区别

英飞凌 FF200R12KT3可以看做是英飞凌FF200R12KE3产品升级优化，这种优化后的 FF200R12KT3 IGBT模块工作在更高的工作频率。功率损耗减小和电流密度提高扩大了IGBT3模块系列产品的应用范围。

FF200R12KT3 IGBT的关断损耗在额定工作条件下比FF200R12KE3减小了大约17%。因为IGBT3 - T3在关断过程的软度有所降低，为了更好地利用IGBT3 - T3关于降低关断损耗的优点，需要减小电路中的杂散电感。

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