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信息标签:MOSFET现货IXTP86N20T场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTP86N20T场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 86 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 16 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP86N20
类型: Trench Gate Power MOSFET
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 46 S
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2.300 g

我们将高侧和低侧损耗组合到一起时总效率的变化情况。我们可以看到，这种情况下，高占空比时组合 FET 损耗-低，并且效率-高。效率从 94.5% 升高至 96.5%。不幸的是，为了获得低输入电压，我们必须降低中间电压轨电源的电压，使其占空比增加，原因是它通过一个固定输入电源供电。因此，这样可能会抵消在 POL 获得的部分或者全部增益。另一种方法是不使用中间轨，而是直接从输入电源到 POL 稳压器，目的是降低稳压器数。这时，占空比较低，我们必须小心地选择 FET。

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