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信息标签:MOSFET现货IXTQ75N10P场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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海飞乐技术现货替换IXTQ75N10P场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V
Qg-栅极电荷: 74 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 360 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PolarHT
封装: Tube
高度: 20.3 mm
长度: 15.8 mm
系列: IXTQ75N10
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarHT Power MOSFET
宽度: 4.9 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 20 S
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 53 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 5.500 g
开关电源应用
从定义上而言,这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时,有数十种拓扑可用于开关电源,这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能(下图),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量开释给负载。目前,设计职员经常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率,由于频率越高,磁性元件可以更小更轻。开关电源中第二重要的MOSFET参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
这个电路提供了如下的特性:
1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3,gate电压的峰值限制
4,输入和输出的电流限制
5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。
6,PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。
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