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信息标签:MOSFET现货IXTP01N100D场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTP01N100D场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 80 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 5.8 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
配置: Single
通道模式: Depletion
封装: Tube
高度: 9.15 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP01N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 100 mS
下降时间: 64 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 2.300 g

栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层**性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变(di/dt)会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位，RC箝位或RC抑制电路等保护措施。 海飞乐技术MOSFET采用中国**芯片及**的工艺技术封装，为您提供**、高效的可完全替换产品，和国外进口产品相比，我司产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！