价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTP220N04T2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTP220N04T2场效应管

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 220 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 360 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 9.15 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP220N04
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 2.300 g

一般IC的PWM OUT输出内部集成了限流电阻，具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关，可以近似认为R=Vcc/Ipeak.一般结合IC驱动能力 Rg选择在10-20Ω左右。
一般的应用中IC的驱动可以直接驱动MOSFET，但是考虑到通常驱动走线不是直线，感量可能会更大,并且为了防止外部干扰，还是要使用Rg驱动电阻进行抑制.考虑到走线分布电容的影响,这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。