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发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTP10P15T场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTP10P15T场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
封装: Tube
系列: IXTP10P15
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 350 mg

MOSFET损坏还有使用/品质工艺两方面的原因:

1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.

2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!

3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.

4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.

5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.

6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲。

海飞乐技术MOSFET采用中国**芯片及**的工艺技术封装，为您提供**、高效的可完全替换产品，和国外进口产品相比，我司产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！