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MOSFET现货IXTP80N10T场效应管

发布时间:2020-03-06 10:22:00 产品编号:GY-5-227239823 分享

价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTP80N10T场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTP80N10T场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 230 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 9.15 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP80N10
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 54 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
单位重量: 2.300 g

现在的MOS驱动，有几个特别的应用

　　1、低压应用

　　当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际-终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

　　同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

　　2、宽电压应用

　　输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

　　为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

　　同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够**，从而增加功耗。

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