电子元器件及组件
MOSFET现货IXFP5N50P3场效应管
发布时间:2020-03-06 10:12:24 产品编号:GY-5-227239563  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFP5N50P3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IXFP5N50P3

海飞乐技术现货替换IXFP5N50P3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.65 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 6.9 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 114 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 16 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXFP5N50
类型: Polar3 HiperFET Power MOSFET
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 2.5 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 350 mg

电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。

开关电源应用
从定义上而言,这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时,有数十种拓扑可用于开关电源,这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能(下图),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量开释给负载。目前,设计职员经常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率,由于频率越高,磁性元件可以更小更轻。开关电源中第二重要的MOSFET参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。 
 
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