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信息标签:MOSFET现货IXTP90N055T2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTP90N055T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 16 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP90N055
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: TrenchT2 Power MOSFET
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 25 S
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 2.300 g

工程师首先会查看显眼的数据表参数，选择电压和电流额定值合适的器件。由于效率很重要，大多数器件首先按照RDS(on)选择。 然后依据开关频率选择动态参数;例如，栅极电荷Qg和Qgd可以很好地反映栅极的预期损耗。Qg品质因数(FOM = RDS(on) x QG)也可以很好地反映开关应用中MOSFET的效率，同时MOSFET的电容，Ciss、Coss、Crss可以反映漏极-源极尖峰和栅极扰动是否会成为问题。低电容也有助于提高效率。-后，器件必须能够适合于您的设计，所以您需要查看其尺寸和所采用的封装。

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