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信息标签:MOSFET现货IXFP4N60P3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFP4N60P3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.2 Ohms
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFP4N60
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 350 mg

尽管选择一个低栅极电荷和低导通电阻的 FET 是一种简单的解决方案，但是需要在这两种参数之间做一些折中和平衡。低栅极电荷通常意味着更小的栅极面积/更少的并联晶体管，以及由此带来的高导通电阻。另一方面，使用更大/更多并联晶体管一般会导致低导通电阻，从而产生更多的栅极电荷。这意味着，FET 选择必须平衡这两种相互冲突的规范。另外，还必须考虑成本因素。
低占空比设计意味着高输入电压，对这些设计而言，高侧 FET 大多时候均为关断，因此 DC 损耗较低。但是，高 FET 电压带来高 AC 损耗，所以可以选择低栅极电荷的 FET，即使导通电阻较高。低侧 FET 大多数时候均为导通状态，但是 AC 损耗却-小。这是因为，导通/关断期间低侧 FET 的电压因 FET 体二极管而非常地低。因此，需要选择一个低导通电阻的 FET，并且栅极电荷可以很高。

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