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信息标签:MOSFET现货IXTH75N10L2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTH75N10L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
配置: Single
封装: Tube
系列: IXTH75N10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 4.500 g

栅极扰动
当Vds尖峰出现时，设计人员还应该在他们的应用中查看栅极扰动。由于MOSFET的所有三个端子之间都有电容，因此漏极引脚上的任何尖峰也将通过电容耦合到MOSFET的栅极引脚上。在极端情况下，如果栅极扰动超过MOSFET的阈值电压，则MOSFET会进入导通状态。
预驱电路通常需要设置死区时间，以保证高边MOSFET和低边MOSFET不能同时导通。但是，当栅极扰动发生时，低边与高边MOSFET同时导通，导致直通电流在电源轨之间流动，从而引起I2R损耗过大，在极端情况下会导致MOSFET损坏。