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信息标签:MOSFET现货IXTN60N50L2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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MOSFET现货IXTN60N50L2场效应管
发布时间:2020-03-05 16:42:02 产品编号:GY-5-227233609 分享
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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
海飞乐技术现货替换IXTN60N50L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 610 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
封装: Tube
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXTN60N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear Power MOSFET
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 18 S
下降时间: 38 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 30 g
如何判断是体二极管失效还是电压失效，因为有时候它们的失效现象是一样的，即都是DS短路。
一旦器件失效后，漏源间的体二极管失效和漏源电压失效很难区分，因为二极管本身属于寄生参数。虽然失效后难以区分具体缘由，但是预防电压及二极管失效的解决办法存在较大差异，主要结合自己电路来分析。
谐振失效分析
在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
海飞乐技术现货替换IXTN60N50L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 610 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
封装: Tube
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXTN60N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear Power MOSFET
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 18 S
下降时间: 38 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 30 g
如何判断是体二极管失效还是电压失效，因为有时候它们的失效现象是一样的，即都是DS短路。
一旦器件失效后，漏源间的体二极管失效和漏源电压失效很难区分，因为二极管本身属于寄生参数。虽然失效后难以区分具体缘由，但是预防电压及二极管失效的解决办法存在较大差异，主要结合自己电路来分析。
谐振失效分析
在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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