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信息标签:MOSFET现货IXTH12N100L场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTH12N100L场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXTH12N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
下降时间: 65 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 6.500 g

让我们来更详细地研究一下这个问题。在大多数应用所需的死区时间，电流在每个开关周期会流过体二极管两次。让我们首先考量一下在同步场效应晶体管导通之前会发生什么。由于在死区时间内电流将流经体二极管，因此有些负载电流将作为积累电荷(Qrr)被捕获。

当同步场效应晶体管导通时，则积累的电荷在MOSFET内部释放。因此，部分负载电流由于Qrr效应而损耗，导致同步场效应晶体管内产生I2R损耗。

在第二种情况下，当高边MOSFET导通时，MOSFET的体二极管再次发生反向偏置。附加电流Irr会短暂流经高边MOSFET，直到积累的电荷Qrr完全耗尽。电荷耗尽不是瞬间完成的，Irr通常会流动几十纳秒，直到Qrr耗尽。反向恢复时间Trr被引用于数据表中。在这种情况下，Irr会在高边MOSFET中导致额外的I2R损耗，如图1所示。
Vds尖峰

反向恢复电流尖峰Irr也与PCB的寄生电感相互作用，产生电压尖峰，其中：
V = L x (di/dt)。

MOSFET的耐压值选择应该适当，以确保击穿电压额定值(BVDS)高于-大尖峰值;通常采用80%降额。测量的尖峰值为80V 时，Vds的耐压一般要求采用BVDS至少100V的MOSFET。

栅极扰动

当Vds尖峰出现时，设计人员还应该在他们的应用中查看栅极扰动。由于MOSFET的所有三个端子之间都有电容，因此漏极引脚上的任何尖峰也将通过电容耦合到MOSFET的栅极引脚上。在极端情况下，如果栅极扰动超过MOSFET的阈值电压，则MOSFET会进入导通状态。

预驱电路通常需要设置死区时间，以保证高边MOSFET和低边MOSFET不能同时导通。但是，当栅极扰动发生时，低边与高边MOSFET同时导通，导致直通电流在电源轨之间流动，从而引起I2R损耗过大，在极端情况下会导致MOSFET损坏。