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信息标签:MOSFET现货IXFP110N15T2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFP110N15T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFP110N15
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 75 S
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 350 mg


尖峰特性

反向恢复电流(Irr)也与PCB的寄生电感相互作用，导致漏极-源极电压(VDS)出现尖峰。这些尖峰可以通过降低PCB的电感或选择Qrr较低的MOSFET来降低。 如果不能在设计阶段解决尖峰问题，往往导致工程师不得不使用更高的电压等级，因此项目后期需要使用价格更高昂的MOSFET。

但这仍然留下了一个问题。如果不加以处理，则漏极引脚上的尖峰可以经由电容耦合到栅极引脚上，导致所谓的“栅极扰动”。如果栅极扰动超过MOSFET的阈值电压，则发生交叉导通，且MOSFET可能在应该关闭时导通。如果高端MOSFET和低端MOSFET同时导通，电源轨之间会产生直通电流，造成较大的功率损耗，并有可能损坏MOSFET。