电子元器件及组件
MOSFET现货IXTH80N20L场效应管
发布时间:2020-03-05 16:15:54 产品编号:GY-5-227233305  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTH80N20L场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IXTH80N20L

海飞乐技术现货替换IXTH80N20L场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IXTH80N20
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 30 S
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 44 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 1.600 g

几种MOSFET驱动电路介绍及分析
不隔离的互补驱动电路。
图7(a)为常用的小功率驱动电路,简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7(b)所示驱动电路开关 速度很快,驱动能力强,为防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。
功率MOSFET属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容,关断时其漏源两端电压的突然 上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小,关断速度较快,但它不能提供负压,故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干 扰性,可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路,产生一个负压,电路原理图如图8所示。
当V1导通时,V2关断,两个MOSFET中的上管的栅、源极放电,下管的栅、源极充电,即上管关断,下管导通,则被驱动的功率管关断;反之V1关断 时,V2导通,上管导通,下管关断,使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电,包含有V2的回路,由于V2会不断退出饱和直至 关断,所以对于S1而言导通比关断要慢,对于S2而言导通比关断要快,所以两管发热程度也不完全一样,S1比S2发热严重。
该驱动电路的缺点是需要双电源,且由于R的取值不能过大,否则会使V1深度饱和,影响关断速度,所以R上会有一定的损耗。
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