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信息标签:MOSFET现货IXFN140N30P场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN140N30P场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 115 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
系列: IXFN140N30
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.07 mm
商标: IXYS
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 30 g

功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的 开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS(T)上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。