电子元器件及组件
MOSFET现货IXTH110N10L2场效应管
发布时间:2020-03-05 16:08:01 产品编号:GY-5-227233175  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTH110N10L2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IXTH110N10L2

海飞乐技术现货替换IXTH110N10L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 260 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 600 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IXTH110N10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 45 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 99 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 1.600 g

电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号,载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz,4脚和6脚两端产生 高频调制波,经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号,UC3725内部有一肖特基整流桥同时将 7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小,但太高抗干扰变差;隔离变压器磁化电感越大磁化电流越 小,UC3724发热越少,但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大,同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出:对于开关频率小于100kHz的信号一般 取(400~500)kHz载波频率较好,变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯,其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信 号频率小于100kHz的场合,因信号频率相对载波频率太高的话,相对延时太多,且所需驱动功率增大,UC3724和UC3725芯片发热温升较高,故 100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合,它是一种良好的驱动电路。该电路具有以 下特点:单电源工作,控制信号与驱动实现隔离,结构简单尺寸较小,尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
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