价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFN110N60P3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN110N60P3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 254 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN110N60
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 65 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 106 ns
典型接通延迟时间: 63 ns
单位重量: 30 g

其等效电路图脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可 以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能 提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：
①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。
②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。
③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。