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信息标签:MOSFET现货IXTH02N250场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTH02N250场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 2.5 kV
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 450 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 7.4 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXTH02N250
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: High Voltage Power MOSFET
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 88 mS
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 6.500 g

如果我们降低输入电压，则我们可以得到一个高占空比设计，其高侧 FET 大多数时候均为导通状态，如图 8 所示。这种情况下，DC 损耗较高，要求低导通电阻。根据不同的输入电压，AC 损耗可能并不像低侧 FET 时那样重要，但还是没有低侧 FET 那样低。因此，仍然要求适当的低栅极电荷。这要求在低导通电阻和低栅极电荷之间做出妥协。就低侧 FET 而言，导通时间-短，且 AC 损耗较低，因此我们可以按照价格或者体积而非导通电阻和栅极电荷原则，选择正确的 FET。
说了soft switching， ZVS这么多好处，我们谈谈soft switching的弊端。对于PWM converter我们可以看到为了实现ZVS，我们减小了电感值，让电感电流ripple变大，-终达到负值，实现了ZVS，但是付出的代价就是inductor current的RMS值变大，各个元器件的导通损耗（conduction loss）变大，所以我们是牺牲了conduction loss换取switching loss和小ringing。而且如果输出电流越大，我们需要实现ZVS的难度更大，需要进一步增大ripple，造成RMS电流进一步增大，很有可能得不偿失，造成converter整体效率下降。对于resonant converter，在频率很高的情况下，有时候需要让impedance非常inductive，也就是I滞后于V非常厉害才能有足够的charge q来实现ZVS，这其实也是变相降低了有功功率的传输，因为V和I的phase lag比较大，造成了converter的circulating current比较大，RMS电流值增大，也是增大了conduction loss。所以在设计或者考虑ZVS等soft switching时需要对系统有个整体loss的把握，在conduction loss和switching loss之间做好trade-off，这样才能设计出效率-高，-鲁棒的converter。