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信息标签:MOSFET现货IXTN200N10L2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXTN200N10L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 178 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 W
配置: Single
封装: Tube
系列: IXTN200N10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 90 S/55 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
单位重量: 30 g

在有多个输出电压和电流要求的电源系统中，情况会更加复杂。对比不同 POL 稳压器占空比的效率、成本和体积。图 12 显示了一个系统，其输入电压为 28V，共有 8 个负载，4 个不同电压，范围为 3.3V 到 1.25V。共有 3 种对比方法：1）无中间轨，直接通过输入电源提供 28V 电压，以实现 POL 稳压器的低占空比；2）使用 12V 中间轨，POL稳压器中等占空比；3）使用 5V 中间轨，高 POL 稳压器占空比。图 13 和表 1 显示了对比结果。这种情况下，无中间轨电源的构架实现了-低成本，12V中间轨电压的构架获得了-高效率，而 5V 中间轨电压构架则实现了-小体积。因此，我们可以看到，对于这种大型系统而言，单POL电源情况下我们所看到的这些参数均没有明显的趋向。这是因为，使用多个稳压器时，除中间轨稳压器本身以外，每个稳压器都有其不同的负载电流和电压要求，而这些需求可能会相互冲突。研究这种情况的-佳方法是使用如 WEBENCH 电源设计师等工具，对不同的选项进行评估