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信息标签:MOSFET现货IXFH320N10T2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFH320N10T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 320 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 430 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
产品: MOSFET
系列: IXFH320N10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 130 S
下降时间: 177 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 46 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 73 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 6.500 g

如果我们降低输入电压，则我们可以得到一个高占空比设计，其高侧 FET 大多数时候均为导通状态，如图 8 所示。这种情况下，DC 损耗较高，要求低导通电阻。根据不同的输入电压，AC 损耗可能并不像低侧 FET 时那样重要，但还是没有低侧 FET 那样低。因此，仍然要求适当的低栅极电荷。这要求在低导通电阻和低栅极电荷之间做出妥协。就低侧 FET 而言，导通时间-短，且 AC 损耗较低，因此我们可以按照价格或者体积而非导通电阻和栅极电荷原则，选择正确的 FET。
计算导通损耗。MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对便携 式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电 阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即-坏情况和真实情况。建议采用针对-坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能 确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及-大的结温。