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信息标签:MOSFET现货IXFH60N50P3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFH60N50P3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 96 nC
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFH60N50
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 60 S, 35 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 1.600 g

对于half bridge 实现ZVS turn on，我们希望当上管Q1开启时电流是流进switching node （vsw）的，也就是图中电感电流为负值，当下管Q2开启时我们希望电流是流出switching node （vsw）的，也就是电感电流为正值。为什么这样就可以实现ZVS turn on了呢？我们就看上管Q1开启过程。如果电感电流iL为负，这时候我们先关闭Q2，这时候Q1还未开启，在这个deadtime中iL会charge Q2的Coss，使Vsw抬高到Vin，当然不能超过Vin，因为Q1的body diode会导通，钳位住Vsw到Vin，这时候Q1的Vds就是Vin-Vsw=0，这时候我们开启Q1就实现ZVS了。同理对于Q2开启时，如果电感电流为正，那么当我们首先关闭Q1管时，Vsw就会被电感电流拉低到0，因为iL》0， Q2的Coss会discharged到0，然后我们再开启Q2，就可以达到ZVS了。这里我有一张其他Topology的PWM converter的波形图，也和buck工作原理类似，大概可以看看基本原理，也就是电感电流为负时，Q1可以实现ZVS，让Vsw的ringing比较小。而当电感电流为正时，实现不了ZVS，Vsw的ringing就比较大了。