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信息标签:MOSFET现货IXFN100N50P场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！


海飞乐技术现货替换IXFN100N50P场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN100N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 80 S
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 30 g

DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器，如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下：
1) 占空比 (高侧FET,上管) = Vout/(Vin*效率)
2) 占空比 (低侧FET，下管) = 1 – DC (高侧FET)
FET 可能会集成到与控制器一样的同一块芯片中，从而实现一种-为简单的解决方案。但是，为了提供高电流能力及（或）达到更高效率，FET 需要始终为控制器的外部元件。这样便可以实现-大散热能力，因为它让FET物理隔离于控制器，并且拥有-大的 FET 选择灵活性。它的缺点是 FET 选择过程更加复杂，原因是要考虑的因素有很多。
一个常见问题是“为什么不让这种 10A FET 也用于我的 10A 设计呢？”答案是这种 10A 额定电流并非适用于所有设计。