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信息标签:MOSFET现货IXFN520N075T2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFN520N075T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 480 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 545 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 940 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN520N075
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: TrenchT2 GigaMOS HiperFet
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 65 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 36 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
单位重量: 30 g

对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。
由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。
比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构。