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信息标签:MOSFET现货IXFP34N65X2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFP34N65X2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: 650V Ultra Junction X2
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 14 S
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 46 ns
单位重量: 350 mg

增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流，开关损耗增加，失去了MOSFET的高速的优点。

以上两种办法不能降低高压MOSFET的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除 导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOSFET关断时，设法使 这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的 COOLMOS，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图5所示。

与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。