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MOSFET现货IXFP20N85X场效应管

发布时间:2020-03-05 11:20:51 产品编号:GY-5-227227249 分享

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发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFP20N85X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 850 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 63 nC

-小工作温度: - 55 C

-大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 540 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HiPerFET

封装: Tube

系列: X-Class

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: IXYS

正向跨导 - -小值: 6 S

下降时间: 20 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 28 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 44 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

电力场效应管的结构和工作原理

电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。

电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs

MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力 MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

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公司:海飞乐技术有限公司
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