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信息标签:MOSFET现货IXFH40N85X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管
VGS（TH）（-大）@标识: 5.5V @ 4mA
: 30V
技术: MOSFET (metal Oxide)
RDS（ON）（-大值）@标识，栅极电压: 145 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散（-大）: 860W (Tc)
包: TO-247
工作温度: -55C ~ 150C (TJ)
安装类型: Through Hole
: 3700pF @ 25V
: 98nC @ 10V
FET型: N-Channel
: 10V
漏极至源极电压（Vdss）: 850V
: 40A (Tc)

主要参数
（1）漏极击穿电压BUD
BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。
（2）漏极额定电压UD
UD是器件的标称额定值。
（3）漏极电流ID和IDM
ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。
（4）栅极开启电压UT
UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。
（5）跨导gm
gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。