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信息标签:MOSFET现货IXFN90N85X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 850 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 340 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 37 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 126 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 30 g

雪崩失效的预防措施：
雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理：
1）合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取；
2）合理的变压器反射电压；
3）合理的RCD及TVS吸收电路设计；
4）大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感；
5）选择合理的栅极电阻Rg；
6）在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。