电子元器件及组件
MOSFET现货IXFH170N25X3场效应管
发布时间:2020-03-04 11:24:31 产品编号:GY-5-227213447  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFH170N25X3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IXFH170N25X3

海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 170 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 66 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g

1)电性能测试
对电路进行排查,结果显示失效样品的器件Q2引脚信号出现异常,该器件为N-Channel MOSFET,具体表现为:NG样品Q2的D极电位正常,但是对G极的反馈信号无动作。Q2不能正常工作致使电源电路的DC3.3V输出下降,该输出达不到设计要求,将会直接导致系统出现不能正常开机。
图1 正常样品与失效样品Q2 pin脚信号对比
2)外观检查和X-Ray透视
对样品进行外观检查和X-Ray透视对比,未发现任何异常。
3)动态性能测试
测试结果显示:VDS固定,当器件在VGS作用下,DS之间沟道打开,随着VGS增大,ID也会随之增大,NG样品在DS之间沟道打开后,出现ID突然下降至0的情况,对其进行加热,该功能性测试即可恢复正常,静置一段时间后,失效现象又会复现。出现上述现象的可能原因包括:a)Q2器件G与S之间存在漏电,导致加载在G端电压下降至不足以开启D与S之间的导电沟道;b)Q2器件D与S或者G与S之间存在开路。
4)C-SAM+切片+SEM
C-SAM测试结果显示NG样品固晶层分层明显;SEM确认了这一现象:1)失效批次样品的Q2固晶层出现明显的分层不良;2)失效批次样品的固晶层明显比正常批次样品厚。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
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