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信息标签:MOSFET现货IXFN50N120SK场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN50N120SK场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 115 nC
-小工作温度: - 40 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
单位重量: 30 g

随着处理器频率的提高，过往的硅原料和制造工艺已经不能满足设计需求了，相关厂商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的栅极绝缘层的引入，就是为了解决这样的问题的。对测试厂商来说，任务也变得更加艰巨了：
例如，现在MOSFET的栅极越来越薄，使用的材料也发生变化，那就引入了许多新的效应，比如热电子注入和表面阱等等，因此如何测试MOSFET中的这些瞬时效应就成为测试厂商和芯片厂商关注的问题。

现在标准的MOSFET测试方案都是使用直流电或者慢速波形，而常见的MOSFET高速电路都跑在1GHz以上，因此传统测试方案无法测试到高速电路中的许多重要瞬态效应。为了解决这问题，使用上升时间小于1ns的**波形的高速测试（characterization）方案就很有必要了，因为这样就能提取到这些重要参数，进行下一步的分析。