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信息标签:MOSFET现货IXFH50N85X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 850 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 152 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 19 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 69 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 38 g

自从德州仪器工程师Jack S. Kilby在1958年发表了全球**集成电路以来，科技产业就开进了发展的的快车道，大型机、PC、笔记本和手机等设备先后面世，各种电子终端也纷纷亮相，人类生活也在这些设备的影响下发生了翻天覆地的变化。但无论是终端的开发者还是上游的芯片供应商，对未来的期待并不止于此。
在过去的几十年内，他们相互相成、相互促进，推动整个电子产业自上如下的进步，尤其是上游的芯片产业，在摩尔定律的指导下，他们的时钟频率有了指数级的增长。以Intel为例，他们1971年推出的--款处理器4004的主频只有108KHZ，但他们-近推出的第八代处理器主频已经提高到4.2GHz，这样的提升给终端带来太多的想象空间，但也给相关厂商带来更大的挑战。

动态性能测试
测试结果显示：VDS固定，当器件在VGS作用下，DS之间沟道打开，随着VGS增大，ID也会随之增大，NG样品在DS之间沟道打开后，出现ID突然下降至0的情况，对其进行加热，该功能性测试即可恢复正常，静置一段时间后，失效现象又会复现。出现上述现象的可能原因包括：a）Q2器件G与S之间存在漏电，导致加载在G端电压下降至不足以开启D与S之间的导电沟道；b）Q2器件D与S或者G与S之间存在开路。