价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFH32N100X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件
点击这里进行电话呼叫
点击这里QQ咨询
联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠!如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名,点击立即免费注册,发布产品推广。
海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037 吴海丽,期待与您的合作!
海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 32 A
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 14 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
Power MOSFET的关断过程:当up信号电压下降到0时,栅极输入电容上储存的电荷通过电阻RS和RG放电,使栅极电压按指数曲线下降,当下降到uGSP 继续下降,iD才开始减小,这段时间称为关断延时时间td(off)。此后,输入电容继续放电,uGS继续下降,iD也继续下降,到uGS< SPAN>T时导电沟道消失,iD=0,这段时间称为下降时间tf。
由于出色的低电流需求和更好的高频性能,MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求,MOSFET尺寸也在不断变小,然而这也引发了一些问题。
具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能**控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。
通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不**且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。