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信息标签:MOSFET现货IXFN100N65X2场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN100N65X2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 78 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 183 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 595 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: 650V Ultra Junction X2
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 40 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 37 ns

导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中，Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准，因为Qg会影响开关损耗。这些损耗有两个方面影响：一个是影响MOSFET导通和关闭的转换时间；另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是，Qg取决于栅源电压，即使用更低的Vgs可以减少开关损耗。

作为一种**比较准备用在开关应用里MOSFET的方式，设计者经常使用一个单数公式，公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开关损耗的Qg：RDS(on) xQg。这个“优值系数”(FOM)总结了器件的性能，可以用典型值或-大值来比较MOSFET。要保证在器件中进行准确的比较，你需要确定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在公示里典型值和-大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能，但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得-好的比较结果，在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。