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信息标签:MOSFET现货IXFN52N100X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！

海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 44 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 245 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 23 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 107 ns
典型接通延迟时间: 34 ns

对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。
由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。
比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构。

雪崩失效的预防措施：
雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理：

1）合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取；

2）合理的变压器反射电压；

3）合理的RCD及TVS吸收电路设计；

4）大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感；

5）选择合理的栅极电阻Rg；

6）在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。