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信息标签:MOSFET现货IXTH3N200P3HV场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTH3N200P3HV场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 2000 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
商标名: Polar3
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
类型: High Voltage
商标: IXYS
下降时间: 60 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 67 ns
典型接通延迟时间: 21 ns

主要参数
（1）漏极击穿电压BUD
BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。
（2）漏极额定电压UD
UD是器件的标称额定值。
（3）漏极电流ID和IDM
ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。
（4）栅极开启电压UT
UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。
（5）跨导gm
gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。