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MOSFET现货IXFH140N20X3场效应管

发布时间:2020-03-03 15:47:10 产品编号:GY-5-227206217 分享

价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFH140N20X3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFH140N20X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 127 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 480 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 55 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 28 ns

这个电路提供了如下的特性：

　　1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

　　2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

　　3，gate电压的峰值限制

　　4，输入和输出的电流限制

　　5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

　　6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：

　　（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。

　　（2）低输出电压技术：随着半导体**技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压 2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
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