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MOSFET现货IXTX6N200P3HV场效应管

发布时间:2020-03-02 17:34:27 产品编号:GY-5-227196251 分享

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发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTX6N200P3HV场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTX6N200P3HV场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 2000 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
配置: Single
商标名: Polar3
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
类型: High Voltage
商标: IXYS
下降时间: 46 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 28 ns

MOS管开关

MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于MOSFET 为截止，饱和，变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs < Vt时，MOSFET处于截止状态，即截止区。当 Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt时，为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区。

如果忽略沟道的长度调制效应，MOSFET的饱和区就是相当于受控恒流源。通常用其作为放大区域使用（类比BJT的放大去）。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流过较大的电流。利用 MOSFET截止区和变阻区的特性，就可以将 MOSFET 应用于逻辑或功率开关。

现在常用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向保护二极管。MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一

定的电压才能驱动MOS管，否则管子不能导通。比如Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般4-5V就可以达到其-小Ron了。但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开

关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想办法让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。……

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