制造商: IXYS 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220AB-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 300 V 

Id-连续漏极电流: 72 A 

Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V 

Qg-栅极电荷: 82 nC 

Pd-功率耗散: 390 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: HiPerFET 

封装: Tube 

商标: IXYS  

正向跨导 - -小值: 36 S  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 25 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 86 ns  

典型接通延迟时间: 22 ns

功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

MOS管应用
MOS管-显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影家”。

很多时候工程师关心RDSON，是因为RDSON和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、温升越低。

同样的，工程师尽可能沿用以前项目中或物料库中现有的元件，对于RDSON的真正的选取方法并没有太多的考虑。当选用的功率MOSFET的温升太低，出于成本的考虑，会改用RDSON大一些的元件；当功率MOSFET的温升太高、系统的效率偏低，就会改用RDSON小一些的元件，或通过优化外部的驱动电路，改进散热的方式等来进行调整。

如果是一个全新的项目，没有以前的项目可循，那么如何选取功率MOSFET的RDSON？这里介绍一个方法给大家：功耗分配法。

当设计一个电源系统的时候，已知条件有：输入电压范围、输出电压/输出电流、效率、工作频率、驱动电压，当然还有其他的技术指标和功率MOSFET相关的主要是这些参数。步骤如下：

（1）根据输入电压范围、输出电压/输出电流、效率，计算系统的-大损耗。

（2）功率回路的杂散损耗，非功率回路元件的静态损耗，IC的静态损耗以及驱动损耗，做大致的估算，经验值可以占总损耗的10%～15%。

如果功率回路有电流取样电阻，计算电流取样电阻的功耗。总损耗减去上面的这些损耗，剩下部分就是功率器件、变压器或电感的功率损耗。

将剩下的功率损耗按一定的比例分配到功率器件和变压器或电感中，不确定的话，按元件数目平均分配，这样就得到每个MOSFET的功率损耗。

（3）将MOSFET的功率损耗，按一定的比例分配给开关损耗和导通损耗，不确定的话，平均分配开关损耗和导通损耗。

（4）由MOSFET导通损耗和流过的有效值电流，计算-大允许的导通电阻，这个电阻是MOSFET在-高工作结温的RDSON。