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MOSFET现货IXTH2N300P3HV场效应管

发布时间:2020-03-02 17:21:43 产品编号:GY-5-227196179 分享

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发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXTH2N300P3HV场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXTH2N300P3HV场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 3000 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
商标名: Polar3
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
类型: High Voltage
商标: IXYS
下降时间: 62 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 69 ns
典型接通延迟时间: 21 ns

功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：
（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。

Mos管的结构特点

　　其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
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