电子元器件及组件
MOSFET现货IXFK150N30X3场效应管
发布时间:2020-02-28 17:38:11 产品编号:GY-5-227173001  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFK150N30X3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IXFK150N30X3

海飞乐技术现货替换IXFK150N30X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 254 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 70 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 187 ns
典型接通延迟时间: 40 ns

下面对MOS失效的原因总结以下六点:

1)雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效;

2)SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效;

3)体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效;

4)谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效;

5)静电失效:在秋冬季节,由于人体及设备静电而导致的器件失效;

6)栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。

雪崩失效的预防措施:
雪崩失效归根结底是电压失效,因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理:

1)合理降额使用,目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额,具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取;

2)合理的变压器反射电压;

3)合理的RCD及TVS吸收电路设计;

4)大电流布线尽量采用粗、短的布局结构,尽量减少布线寄生电感;

5)选择合理的栅极电阻Rg;

6)在大功率电源中,可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。
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