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信息标签:MOSFET现货IXFH120N30X3场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！


海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AD-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 170 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 60 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 30 ns

在选用功率开关器件时，并没有万全的解决方案，电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸，所有这些约束都会在做出-佳选择时起着作用。

在具有-小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中，MOSFET由于具有较快的开关速度和较少的关断损耗，因此能够在较高频率下工作。

对硬开关应用而言，MOSFET寄生二极管的恢复特性可能是个缺点。相反，由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配，**的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的关键组件。双极晶体管和 MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的**嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET 必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲**开关速度。从理论上来说，双极晶体管和 MOSFET 器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为 20 至 200 皮秒，具体取决于器件大小。

MOSFET 技术在数字和功率应用领域的普及得益于它与双极结晶体管相比所具有的两个主要优势：
1.MOSFET 器件在高频开关应用中使用应用非常重要。
MOSFET 晶体管更加容易驱动，因为其控制电极与导电器件隔离，所以不需要连续的导通电流。一旦MOSFET 晶体管开通，它的驱动电流几乎为零。而且，控制电荷大量减少，MOSFET 晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题，而开通状态压降与控制电荷成反比。因此，与双极器件相比，MOSFET 技术预示着使用更简单且更高效的驱动电路带来显著的经济效益。

2.在电源应用中，MOSFET 具有电阻的性质。
MOSFET 漏源端上的压降是流入半导体的电流的线性函数。此线性关系用 MOSFET 的RDS(on) 来表征，也称为导通电阻。导通电阻对指定栅源极电压和器件温度来说是恒定的。与 p-n 结 -2.2mV/°C 的温度系数不同，MOSFET 的温度系数为正值，约为 0.7%/°C 至 1%/°C。正因为 MOSFET 具有此正温度系数，所以当使用单个器件不现实或不可能时，它便是高功率应用中 并行运行的理想之选。由于通道电阻具有正 TC，因此多个并联 MOSFET会均匀地分配电流。在多个MOSFET 上会自动实现电流共享，因为正TC的作用相当于一种缓慢的负反馈系统。载流更大的器件会产生更多热量——请别忘了漏源电压是相等的——并且温度升高会增加其 RDS(on) 值。增加电阻会导致电流减小，从而降低温度。-终，当并联器件所承载的电流大小相近时，便达到平衡状态。RDS(on) 值和不同结至环境热阻的初始容差可导致电流分布出现高达 30% 的重大误差。