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MOSFET现货IXFN50N120SIC场效应管

发布时间:2020-02-28 16:51:38 产品编号:GY-5-227172603 分享

价格:未填
发货:3天内
信息标签:MOSFET现货IXFN50N120SIC场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 155 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 23 ns

虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600V IGBT都是PT（Punch Through，穿透）型器件。PT器件具有NTC（负温度系数）特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE（sat）、VGE（TH）（栅射阈值电压）及机械封装以有限的成效进行并联，以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地，MOSFET具有PTC（正温度系数），可以提供良好的电流分流。

关断损耗——问题尚未结束

在硬开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得多，原因在于IGBT的拖尾电流，这与清除图1中PNP BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。

图7：本图表显示集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff

图2显示了用于测量IGBT Eoff的典型测试电路，它的测试电压，即图2中的VDD，因不同制造商及个别器件的BVCES而异。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。

降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td（off）I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容（Miller capacitance）CRES和关断VCE的dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。

ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET和IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大，因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时，会引发拖尾冲击电流Eoff。ZCS拓扑可以提升-大的IGBT Eoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除，从而显著降低IGBT ZCS Eoff。

MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx（如图8所示）产生一个电势，通过限制电流速度下降而增加关断损耗。在关断时，电流下降速度di/dt由Lx和VGS（th）决定。如果Lx=5nH，VGS（th）=4V，则-大电流下降速度为VGS（th）/Lx=800A/μs。

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