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信息标签:MOSFET现货IXFQ50N60X场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！


海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 116 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 660 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 62 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 28 ns

IXFR15N100P标准包装：30； 类别：分立半导体产品； 家庭：FET - 单； 系列：-； 包装：管件； FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物； FET 功能：标准； 漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）； 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-； 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（-大值）：-； 不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值）：-； 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-； 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-； 功率 - -大值：-； 安装类型：通孔； 封装/外壳：ISOPLUS247?； 供应商器件封装：ISOPLUS247?IXFR15N100Q无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHsIXFR15N100Q3特色产品：Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs； 标准包装：30； 类别：分立半导体产品； 家庭：FET - 单； 系列：HiPerFET??； 包装：管件； FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物； FET 功能：标准； 漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）； 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）； 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（-大值）：1.2 欧姆 @ 7.5A，10V； 不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值）：6.5V @ 4mA； 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：64nC @ 10V； 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3250pF @ 25V； 功率 - -大值：400W； 安装类型：通孔； 封装/外壳：TO-247-3； 供应商器件封装：ISOPLUS247?IXFR15N80Q制造商:IXYS； 产品种类:MOSFET； RoHS:详细信息； 技术:Si； 安装风格:Through Hole； 封装 / 箱体:TO-247-3； 通道数量:1 Channel； 晶体管极性:N-Channel； Vds-漏源极击穿电压:800 V； Id-连续漏极电流:13 A； Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms； Vgs - 栅极-源极电压:20 V； -小工作温度:- 55 C； -大工作温度:+ 150 C； Pd-功率耗散:250 W； 配置:Single； 通道模式:Enhancement； 商标名:HyperFET； 封装:Tube； 高度:21.34 mm； 长度:16.13 mm； 系列:IXFR15N80； 晶体管类型:1 N-Channel； 宽度:5.21 mm； 商标:IXYS； 下降时间:16 ns； 产品类型:MOSFET； 上升时间:27 ns； 工厂包装数量:30； 子类别:MOSFETs； 典型关闭延迟时间:53 ns； 典型接通延迟时间:18 ns； 单位重量:1.600 gIXFR16N120P制造商:IXYS； 产品种类:MOSFET； RoHS:详细信息； 技术:Si； 安装风格:Through Hole； 封装 / 箱体:TO-247-3； 通道数量:1 Channel； 晶体管极性:N-Channel； Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV； Id-连续漏极电流:9 A； Rds On-漏源导通电阻:1.04 Ohms； Vgs - 栅极-源极电压:30 V； -小工作温度:- 55 C； -大工作温度:+ 150 C； Pd-功率耗散:230 W； 配置:Single； 通道模式:Enhancement； 商标名:HiPerFET； 封装:Tube； 高度:21.34 mm； 长度:16.13 mm； 系列:IXFR16N120； 晶体管类型:1 N-Channel； 宽度:5.21 mm； 商标:IXYS； 下降时间:35 ns； 产品类型:MOSFET； 上升时间:28 ns； 工厂包装数量:30； 子类别:MOSFETs； 典型关闭延迟时间:66 ns； 典型接通延迟时间:35 ns； 单位重量:1.600 gIXFR16N80P标准包装：30； 类别：分立半导体产品； 家庭：FET - 单； 系列：-； 包装：管件； FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物； FET 功能：标准； 漏源极电压（Vdss）：-； 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-； 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（-大值）：-； 不同 Id 时的 Vgs（th）（-大值）：-； 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-； 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-； 功率 - -大值：-； 安装类型：通孔； 封装/外壳：ISOPLUS247?； 供应商器件封装：ISOPLUS247?
其它代理商
IXFQ60N25X3IXFQ60N50P3IXFQ60N60XIXFQ72N20X3IXFQ72N30X3IXFQ90N20X3IXFQ94N30P3IXFR 26N50QIXFR100N25IXFR100N25 (5)IXFR100N25PIXFR102N30PIXFR10N100IXFR10N100FIXFR10N100QIXFR120N20IXFR120N25PIXFR12N100IXFR12N100FIXFR12N100Q
其它型号详细参数
IXFQ60N25X3IXFQ60N50P3IXFQ60N60XIXFQ72N20X3IXFQ90N20X3IXFQ94N30P3IXFR100N25IXFR102N30PIXFR10N100FIXFR10N100QIXFR120N20IXFR12N100IXFR12N100FIXFR12N100QIXFR12N120PIXFR13N50IXFR140N20PIXFR140N30PIXFR14N100Q2IXFR150N15IXFR15N100PIXFR15N100QIXFR15N100Q3IXFR15N80QIXFR16N120PIXFR16N80P