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信息标签:MOSFET现货IXTX1R4N450HV场效应管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！


海飞乐技术现货替换IXTX1R4N450HV场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4500 V
Id-连续漏极电流: 1.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 6 V
Qg-栅极电荷: 88 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: High Voltage
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 1.2 S
下降时间: 170 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 126 ns
典型接通延迟时间: 44 ns

在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说，升压二极管恢复特性在Eon (导通) 能耗的控制中极为重要。除了选择具有-小Trr和QRR的升压二极管之外，确保该二极管拥有软恢复特性也非常重要。软化度，即tb/ta比率，对开关器件产生的电气噪声和电压尖脉冲有相当的影响。某些高速二极管在时间tb内，从IRM(REC)开始的电流下降速率(di/dt)很高，故会在电路寄生电感中产生高电压尖脉冲。这些电压尖脉冲会引起电磁干扰(EMI)，并可能在二极管上导致过高的反向电压。

在硬开关电路中，如全桥和半桥拓扑中，与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流经过，因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以，选择具有**体二极管恢复特性的MOSFET十分重要。不幸的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。

一般来说，IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配，具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat)电机驱动IGBT组合封装在一起。相反地，软恢复超快二极管，可与高频SMPS2开关模式IGBT组合封装在一起。

除了选择正确的二极管外，设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI需要折中，因为较高的di/dt会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt 的需求，可能需要进行电路内部测试与验证，然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。