海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

DSEP30-06A特性：
国际标准封装
平面钝化芯片
恢复时间短
开关损耗低
软恢复特性

DSEP30-06A应用：
开关设备
抗饱和二极管
缓冲二极管
续流二极管转换器
电机控制电路
在开关模式电源整流器
电源（SMPS ）
感应加热和熔化
不间断电源（ UPS ）
超声波清洗机和焊接

DSEP30-06A产品优势：
高可靠性的电路操作
低电压的峰值减少
保护电路
低噪声开关
低损耗
工作在较低的温度或
节省空间通过降低冷却液

快恢复二极管DSEP30-06A技术参数
RoHS：ROHS 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 600V 30A TO247
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC 反向 (Vr)（--值）：600V
电流-平均整流 (Io)：30A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-247

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结**性损坏。

二极管过电失效经过分析是二极管晶圆焊接产生高温铜迁移失效，防止铜迁移产生有效手段通过在硅与铜直接建立起有效的阻隔层，一般方法是铜引线部分使用镍进行镀层，防止铜原子迁移，二极管晶圆表面形成有效保护层，可以有效隔离迁移过来铜原子，避免产生还原化学反应。铜硅之间增加活性差的难溶金属SiN、Ta、Ti等。