海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  快恢复二极管是近半年来面市的半导体器件。快恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器、不间断电源、高压加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用。快恢复二极管是用电设备高频化（20kHZ以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。

  快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

  MPKB2CA100U40特点
  超快恢复时间
  大电流能力
  高抗浪涌电流能力
  低正向压降
  低反向漏电流

美格纳快恢复二极管模块MPKB2CA100U40现货参数资料
二极管配置 共阴极
产品类型 快恢复二极管
是否进口 是
品牌 其他
型号 DAC2F100N4S
材料 硅(Si)
封装 5DM-1
工作温度范围 175（℃）
功耗 大功率
针脚数 3脚
批号 14+
1 正向平均电流IF(AV) 40A~500A 正弦半波电流，阻性负载，T=85℃
2 反向重复峰值电压Vrrm 200V ~1200V TI=150℃或25℃或25°C
3 反向重复峰值电流IRRM ≤10mA TI=150℃或25℃或25°C，加Vrrm
4 正向峰值电压VFM 1.2~2.0A IFM=IFAV，Tj=25℃
5 正向方均根电流IFRMS 60~750A 

   MPKB2CA100U40快恢复二极管作用
  快恢复二极管作用一般地说用于较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份，好像频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。 对于二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时间很短，此时就需要快恢复二极管（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关二极管，**的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管）。

  快恢复二极管属于整流二极管中的高频二极管，特点是它的反向恢复时间很短，这一点特别适合高频率整流。快恢复二极管的反向恢复时间是其性能的重要参数，反向恢复时间的定义是：二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到--反向电流的10％所需要的时间。常用符号trr表示，trr值越小的快恢复二极管工作频率越高。因为导通和截止转换迅速，从而可以改善整流波形。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，普通整流二极管是一个PN结，而快恢复二极管PN结中间增加了基区I，构成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短。从电物理现象来解释，导通状态向截止状态转变时，二极管在阻断反向电流之前需要首先释放上个周期存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间，反向恢复时间实际上是由电荷存储效应引起的．反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。