海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP2X31-06A。

  快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。这些高效、节能、节电和节材，能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前我国正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源，对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。

  快恢复二极管属于整流二极管中的高频二极管，特点是它的反向恢复时间很短，这一点特别适合高频率整流。快恢复二极管的反向恢复时间是其性能的重要参数，反向恢复时间的定义是：二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到--反向电流的10％所需要的时间。

DSEP2X31-06A特征
大电流能力
高抗浪涌电流能力
低正向压降
低反向漏电流
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装

快恢复模块DSEP2X31-06A现货参数资料
产品种类: 快恢复二极管
RoHS: 符合RoHS
型号:DSEP2X31-06A
品牌：IXYS/艾赛斯
控制方式：单向
极数：多级
封装材料：塑料封装
封装外形：平底形
关断速度：高频(**)
散热功能：不带散热片
频率特性：高频
功率特性：大功率
额定正向平均电流：31（A）
控制极触发电流：1（mA）
--稳定工作电流：31（A）
反向重复峰值电压：600（V）
额定正向平均电压：600（V）
封装：可控硅
工作温度：-40C ~+125C
批号：2010+
数量：500
单价：面谈

DSEP2X31-06A反向击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

快恢复二极管的过热失效
过热失效是指快恢复二极管工作时产生的功耗引起结温升高，超过器件所允许的--结温Tjm，导致器件发生热击穿。过热失效与器件的工作温度有关。通常用一个本征温度Tint来预测温度升高时器件内部的失效机理。Tint是指当热产生导致温度升高时的载流子浓度ni( T)等于衬底掺杂浓度ND时的温度。当温度高于Tint时，载流子浓度随温度按指数增长，热产生成为主导因素。Tint与本底掺杂浓度有关，一般高压器件(ND约为1013cm-3)的Tint要比低压器件(ND约为1014cm-3)低得多。由于受材料、工艺等因素的影响，器件Tjm通常远小于Tint。